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リレー

概要・特長

入力回路(コイル等)にて入力信号(電流・電圧)を受けてスイッチ部(接点または半導体)を開閉。小電流で大電流を駆動する増幅機能と入出力回路の絶縁、リレーを組合せて制御回路(リレーシーケンス)を構築。信号を機械的な動きで伝える「有接点リレー(一般リレー)」と電子回路で伝える「無接点リレー(ソリッドステート・リレー(SSR))」に大別。ターミナルリレー、I/Oリレーターミナルは有接点、無接点いずれも品揃え

リレー
  • パワーリレー:形G2RL

    パワーリレー:形G2RL

    小型機器内蔵用、高さ15.7㎜の低背パワーリレー

  • パワーリレー:形G5NB

    パワーリレー:形G5NB

    耐衝撃電圧10kVの1極3A開閉の小型リレー

  • パワーリレー:形G5NB-EL

    パワーリレー:形G5NB-EL

    1極7A開閉を実現した小型パワーリレー

  • パワーリレー:形G5Q

    パワーリレー:形G5Q

    1極10A開閉の小型パワーリレー

  • MOS FETリレー SOP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ:形G3VM-□HR□

    MOS FETリレー SOP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ:形G3VM-□HR□

    SOP6ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

  • MOS FETリレーモジュール:形G3VM-26M10/26M11/66M

    MOS FETリレーモジュール:形G3VM-26M10/26M11/66M

    SPDT接点構成を実現した半導体スイッチングデバイス MOS FETリレーモジュール

  • ターミナルリレー:形G6D-F4PU/G3DZ-F4PU

    ターミナルリレー:形G6D-F4PU/G3DZ-F4PU

    4点出力用ターミナルリレーに プッシュインPlus端子台タイプを追加

  • パワーリレー:形G2RL-1A-E2-CV-HA

    パワーリレー:形G2RL-1A-E2-CV-HA

    小型・低背で1極23A開閉、かつ長寿命・高温対応を実現したパワーリレー

  • MOS FETリレーモジュール:形G3VM-66M

    MOS FETリレーモジュール:形G3VM-66M

    SPDT接点構成を実現した半導体スイッチングデバイス MOS FETリレーモジュール

  • MOS FETリレー VSON(R)電圧駆動タイプ:形G3VM-21UV11/51UV/61UV

    MOS FETリレー VSON(R)電圧駆動タイプ:形G3VM-21UV11/51UV/61UV

    超小型の電圧駆動パッケージVSON(R)新登場。入力側に電流制限抵抗を内蔵したMOS FETリレー

  • MOS FETリレー DIP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

    MOS FETリレー DIP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

    DIP6ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

  • パワーリレー G6QE

    パワーリレー G6QE

    1極32A開閉を実現した小型低背パワーリレー

  • MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ G3VM-35□G□/351VY/401G□/401VY

    MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ G3VM-35□G□/351VY/401G□/401VY

    様々な用途に対応できるSOP4ピンパッケージの汎用MOS FETリレー

  • MOS FETリレー SOP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ  G3VM-41GR8 / 61GR□ / 61VR

    MOS FETリレー SOP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ G3VM-41GR8 / 61GR□ / 61VR

    SOP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

  • MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ G3VM-6□G□ / 61VY□

    MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ G3VM-6□G□ / 61VY□

    様々な用途に対応できるSOP4ピンパッケージの汎用MOS FETリレー

  • G3VM-41QR10 / 61QR  MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

    G3VM-41QR10 / 61QR MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

    世界最小クラス*のパッケージS-VSON新登場。低C×Rを実現したMOS FETリレー *2018年1月当社調べ

  • MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R) G3VM-61QR

    MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R) G3VM-61QR

    世界最小クラス*のパッケージS-VSON新登場。低C×Rを実現したMOS FETリレー *2017年6月当社調べ

  • MOS FETリレー S-VSON4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ  G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1

    MOS FETリレー S-VSON4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1

    世界最小クラス*のパッケージS-VSON新登場 *2017年6月当社調べ

  • パワーリレー G6DN

    パワーリレー G6DN

    5mm幅の超スリムサイズで高密度実装に対応。(幅5.08mm×長さ20mm×高さ12.5mm)
    クロスバ・ツイン接点の採用で高接触信頼性を保ちつつ、 5A(AC250V、DC30V)の高開閉性能を実現
    低消費電力110mWを実現
    用途規格はEN61010-1とEN61010-2-201の強化絶縁(CTI600V以上、定格絶縁電圧300V)に適合
    電気的耐久性10万回を実現した長寿命タイプも品揃え(-Lタイプ)

  • パワーリレー G5Q-EL / EL2 / EL3

    パワーリレー G5Q-EL / EL2 / EL3

    1極10A開閉の高性能小型パワーリレー

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