リレー
概要・特長
入力回路（コイル等）にて入力信号（電流・電圧）を受けてスイッチ部（接点または半導体）を開閉。小電流で大電流を駆動する増幅機能と入出力回路の絶縁、リレーを組合せて制御回路（リレーシーケンス）を構築。信号を機械的な動きで伝える「有接点リレー（一般リレー）」と電子回路で伝える「無接点リレー（ソリッドステート・リレー（SSR））」に大別。ターミナルリレー、I/Oリレーターミナルは有接点、無接点いずれも品揃え
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MOS FETリレー S-VSON(L) 電圧駆動タイプ：形G3VM-31QV□/61QV□□
世界最小クラス＊の電圧駆動MOS FETリレー 新登場。超小型のS-VSON（L）パッケージで入力側に電流制限抵抗を内蔵 ＊2020年1月当社調べ
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MOS FETリレー DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ：形G3VM-□AR□/□DR□
小型DIP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー
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サーマルリレー：形J7TCシリーズ
電磁接触器形J7KCとの組合せで 2.2kW（240VAC）＊、5.5kW（440VAC）までのモータ保護（過電流、欠相）に最適 ＊JIS C 8201-4-1に基づく定格
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MOS FETリレー VSON（R）電圧駆動タイプ：形G3VM-21UV11/51UV/61UV
超小型の電圧駆動パッケージVSON（R）新登場。入力側に電流制限抵抗を内蔵したMOS FETリレー
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MOS FETリレー SOP4ピン 高容量＆低オン抵抗タイプ G3VM-41GR8 / 61GR□ / 61VR
SOP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー
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G3VM-41QR10 / 61QR MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
世界最小クラス＊のパッケージS-VSON新登場。低C×Rを実現したMOS FETリレー ＊2018年1月当社調べ
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MOS FETリレー S-VSON4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R) G3VM-61QR
世界最小クラス＊のパッケージS-VSON新登場。低C×Rを実現したMOS FETリレー ＊2017年6月当社調べ
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MOS FETリレー S-VSON4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1
世界最小クラス＊のパッケージS-VSON新登場 ＊2017年6月当社調べ
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パワーリレー G6DN
5mm幅の超スリムサイズで高密度実装に対応。（幅5.08mm×長さ20mm×高さ12.5mm）
クロスバ・ツイン接点の採用で高接触信頼性を保ちつつ、 5A（AC250V、DC30V）の高開閉性能を実現
低消費電力110mWを実現
用途規格はEN61010-1とEN61010-2-201の強化絶縁（CTI600V以上、定格絶縁電圧300V）に適合
電気的耐久性10万回を実現した長寿命タイプも品揃え（-Lタイプ） -
